報告題目：金剛石半導體的發(fā)展與應用

報 告 人：王宏興 教授

報告時間：2014日11月14日（星期五）下午2:30

報告地點：理學院學術報告廳（實訓樓B-522）

參加人員：理學院研究生及教師，歡迎其他學院師生參加！

有關要求：參加人員提前10分鐘到場，并關閉手機或設置為靜音狀態(tài)。

研究生院 理學院

2014年11月11日

報告人簡介：

王宏興，西安交通大學教授、博士生導師，寬禁帶半導體材料與器件研究中心主任。2001年獲日本德島大學大學院物質工學專攻博士學位；1999年至2003年任日本Nitride Semiconductors Co. Ltd 公司研究員；2003至2004年任日本科學技術振興機構高級研究員；2004年至2008年任日本Dialight Japan Co. Ltd公司高級研究員、執(zhí)行董事；2008年至2012年在日本Seki Technotron Corp. 金剛石CVD裝置部工藝開發(fā)負責人；2008至今任日本高知Kochi FEL Co. Ltd公司技術顧問；2009至今任日本Napra Corp.公司首席顧問。

在日本期間作為高級研究員，團隊負責人，技術顧問先后參加和主持了日本通產省，日本學術振興機構以及日本有關大型公司的重大科研項目和產學研結合項目。回國后主持科技部“863計劃”等重大項目。在III-V族半導體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設計開發(fā)、 特殊直流CVD設計開發(fā)、微波等離子體CVD的設計開發(fā)等領域做出了許多創(chuàng)新性工作。發(fā)表文章50余篇，申請日本、美國專利80余項。曾獲得電子工業(yè)部科技進步二等獎，國家科技進步三等獎。